一文了解场效应三极管型号规则及参数含义

场效应三极管管现行有两种命名方法。第一种命名方法，型号的第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

场效应管工作原理及特点和作用

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管​。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

电阻器尺寸和封装标准

表面贴装电阻器的形状和尺寸已标准化，大多数制造商都使用 JEDEC 标准。贴片电阻的尺寸由数字代码表示，例如0603。该代码包含封装的长度和宽度。因此，英制代码 0603 表示长度为 0.060"，宽度为 0.030"。

GaN开启了“无限复制”时代！

外延技术，即在半导体制造中将半导体材料生长成对齐良好的薄膜，对于半导体制造至关重要。使用外延技术进行的GaN远程同质外延在GaN芯片上形成了二维材料。可以在芯片上生长出与芯片质量相同的GaN半导体，并容易地移除，从而实现使用单个GaN芯片连续生产GaN半导体。

半导体“黑科技”：氮化镓

GaN作为第三代半导体材料，其性质决定了将更适合4G乃至未来5G等技术的应用。从现在的市场状况来看，GaAs仍然是手机终端PA和LNA等的主流，而LDMOS则处于基站RF的霸主地位。但是，伴随着Si材料和GaAs材料在性能上逐步达到极限，我们预计GaN半导体将会越来越多的应用在无线通信领域中。